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主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成，比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM于同一个晶片上较为困难，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。（*1）单芯片单片机是指：将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微器。

废旧电缆的分类
1.绝缘种类：V代表聚氯乙稀；X代表橡胶；Y代表聚乙；YJ代表交联聚乙；Z代表纸。
2.导体材料：L代表铝；T（省略）代表铜。
3.内护层：V代表聚氯乙稀护套；Y聚乙护套；L铝护套；Q铅护套；H橡胶护套；F氯丁橡胶护套。
4.特征：D不滴流；F分相；CY充油；P贫油干绝缘；P屏蔽；Z直流。
5.控制层：0无；2双钢带；3细钢丝；4粗钢丝。
6.外被层：0无；1纤维外被；2聚氯乙稀护套；3聚乙护套。
7.阻燃电缆在代号前加ZR；耐火电缆在代号前加NH。

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使用SFC0来设置系统时钟创建一个DB块DB1，打DB1块定义一个DATE_AND_TIME的变量打符号表定义DB1的符号名：这里先介绍一下DATE_AND_TIME变量的格式，其由八个字节组成分别代表年、月、日、时、分、秒、毫秒， 一个字节0-3位代表星期，4-7为表示毫秒，是以BCD码表示的。然后打OB1，首先将需要设定的时间以16进制BCD码的形式赋值给定义的DATA_AND_TIME变量的各个字节， 一个字节不需要设定，系统会自己计算并 0秒。

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但在实际工作中，特别是电源线架空引入的情况下，单靠变频器的吸收网络是不能满足要求的。在雷电活跃地区，这一问题尤为重要。雷击分为直击雷和感应雷。直击雷是雷电直接落在雷击物上，产生的破坏;感应雷是雷电产生的电磁波在导体上产生的感应高压，使连接到导体上的电器过压而损坏。在电网上，已经了多级避雷器，但前级雷电的残存电压或变频器附近的雷电感应电压仍然会对变频器造成破坏。变频器外壳被击。CPU主板，整流桥，驱动板还有输出模块都被损坏的事故很多。 ，我们需要将金笛继电器锁紧在起动机负极搭铁位置上，步骤完成。起动机连接点示意图金笛继电器和起动机接线实物展示第二种方式：三线接法首先，我们需要先拆下起动机上旧的继电器（之前没有继电器的起动机，需要准备一个金笛继电器、两根导线和一根电门线）。其次，与继电器连接的黄色导线接到起动机50端（关C点），同样与继电器连接的红色导线需要连接到起动机30端（关A柱）。接着，我们需要与继电器连接的电门线接到起动机关接线柱上。